SiO2中碳簇形成与溶解的原子尺度动力学
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
SiC氧化生成SiO2，同时释放CO。然而，在较低温度下需要进行“再氧化”步骤，以产生高品质的SiO2。该步骤被认为会净化氧化物中残余的C，同时不会进一步氧化SiC基底。我们报告了第一性原理计算，描述了在氧化条件下O缺失的C簇的核化与生长，这些过程由CO在移动界面处的产生所驱动；以及在再氧化条件下C簇的逐渐溶解，这由O供应驱动。我们预测在两个步骤中都释放CO和CO2。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105572,
title = {Atomic-Scale Dynamics of the Formation and Dissolution of Carbon Clusters in SiO2},
author = {Sanwu Wang and Massimiliano Di Ventra and S. G. Kim and Sokrates T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105572},
year = {2009}
}
备注
RevTex, 4 pages, 2 ps figures, to appear in Phys. Rev. Lett. (June 25, 2001)