热氧化中原子与分子机制的竞争
材料科学
2016-06-13 v2
摘要
SiC 和 Si 的氧化为研究氧化机制提供了独特的机会，因为它们的产物相同，均为 SiO2。硅氧化遵循线性 - 抛物线定律，已确定分子氧为氧化剂。SiC 氧化也遵循相同的线性 - 抛物线定律，但具有不同的速率和活化能，并表现出更强的晶面依赖性。利用第一性原理计算的结果，我们表明原子氧和分子氧分别是 Si 面和 C 面 SiC 的氧化剂。通过比较 SiC 与 Si，我们阐明了界面如何控制原子机制与分子机制之间的竞争。
引用
@article{arxiv.1210.7899,
title = {Competing Atomic and Molecular Mechanisms of Thermal Oxidation},
author = {Xiao Shen and Sokrates T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7899},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 4 figures