SiGe 氧化下的 Ge 凝聚：从分子动力学模拟到一维解析建模
材料科学
2012-08-01 v1
摘要
利用基于分子动力学模拟和氧插入规则的原创方案，对稀 Si(Ge) 合金的氧化过程进行了建模。这些规则源自 ab-initio 计算，倾向于形成 SiO_2 而非 GeO_2 氧化物，从而导致在氧化前沿推进过程中 Ge 原子在合金中发生偏析。由于该区域氧化引起的应变，在 SiO_2/Ge 界面附近观察到了 Ge 凝聚现象。通过对模拟过程的分析，我们提出了一种 Ge 凝聚的一维描述，完美复现了 SiGe 合金氧化过程中 Ge 浓度的演化。
引用
@article{arxiv.1207.7238,
title = {Ge condensation under SiGe oxidization: from Molecular Dynamics simulation to one-dimensional analytic modeling},
author = {Patrick Ganster and Andrès Saúl and Guy Tréglia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.7238},
year = {2012}
}