闪存应用中 CVD 生长 SiGe 层的锗偏析
材料科学
2008-12-31 v1
摘要
通过结合低压化学气相沉积、炉氧化和快速热退火，形成了一层嵌入在 SiO2 中的球形结晶 Ge 纳米点二维层。通过透射电子显微镜和卢瑟福背散射谱对样品进行了结构表征，并通过测量 CV 和 IV 特性进行了电学表征。研究发现，由于氧化诱导的 Ge 偏析，形成了高密度的 Ge 点。这些点位于 SiO2 中，与衬底平均距离为 5 nm。高频 CV 曲线的滞后行为证明了结晶 Ge 纳米点层中电荷存储效应的有力证据。
引用
@article{arxiv.0812.4680,
title = {Germanium Segregation in CVD Grown Sige Layers for Flash Memory Application},
author = {Andrei G. Novikau and Peter I. Gaiduk},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4680},
year = {2008}
}
备注
9 pages, 4 fugures