Ge 相关点缺陷及簇在掺杂 SiO_2 中的稳定性
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们使用第一性密度泵函技术分析掺杂 SiO_2 中的 Ge 相关缺陷。Ge 掺杂浓度约为 1mol% 以上。Ge:SiO_2 的生长条件自然导致氧气缺乏，空位浓度比无掺杂 SiO_2 高出 10^5 倍，O 空位与 Ge 杂质强烈结合。所考察的所有中心都具有潜在的 EPR 活性态，作为 Ge(n) 中心的识别候选者。掺杂 Ge 通过其外生能级导致能隙缩小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202497,
title = {Stability of Ge-related point defects and complexes in Ge-doped SiO_2},
author = {C. M. Carbonaro and V. Fiorentini and F. Bernardini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202497},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 4 pages, 2 ps figures