锗中n型掺杂剂的扩散与激活
材料科学
2008-07-31 v3
摘要
在不同剂量和退火条件下，研究了注入p型Ge(100)衬底的n型杂质（P和As）的扩散与激活。二次离子质谱化学浓度分布表明，随着注入剂量的增加，存在足够高数量的杂质。然而，扩展电阻探针电学浓度分布显示，尽管剂量增加，电学浓度仍出现饱和，并表明As在Ge中的激活相对于P较差。考虑不完全电离效应，计算了P在Ge和Si中化学浓度与电学浓度之间的关系。结果表明，P在Ge和Si中的激活几乎相同。实验获得的激活比与计算值相似，表明Ge的简并化不足。比较了有无Ge离子注入损伤的Ge衬底中P的分布，并阐明可能补偿激活n型掺杂剂的损伤与P在Ge中的激活无关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703708,
title = {Diffusion and activation of n-type dopants in germanium},
author = {Masahiro Koike and Yoshiki Kamata and Tsunehiro Ino and Daisuke Hagishima and Kosuke Tatsumura and Masato Koyama and Akira Nishiyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703708},
year = {2008}
}
备注
6 pages, 4 figures