掺杂对外延锗薄膜质量及 Si-Ge 互扩散的影响
材料科学
2017-12-18 v1
摘要
我们生长并退火了具有三种不同掺杂剂（P、As 和 B）以及无 intentional 掺杂的 Ge-on-Si 结构。采用了多种材料表征方法来表征 Ge 薄膜质量。所有样品均具有光滑表面（粗糙度 < 1.5 nm），且 Ge 薄膜几乎完全弛豫。另一方面，B 掺杂的 Ge 薄膜中穿线位错密度高于 1 x 10^8 cm-2。而 P 和 As 掺杂可在不退火情况下将穿线位错密度降低至小于 10^6 cm-2。我们通过实验与理论研究了不同薄膜中 Si 与 Ge 的互扩散。建立了在全 x_Ge 范围内考虑位错介导扩散项的外在条件下 Si-Ge 互扩散的定量模型。观测到了 Kirkendall 效应。该结果对基于 Ge-on-Si 的器件（尤其是光子学应用）的结构、掺杂和工艺设计具有技术意义。
引用
@article{arxiv.1712.05468,
title = {Impacts of Doping on Epitaxial Germanium Thin Film Quality and Si-Ge Interdiffusion},
author = {Guangnan Zhou and Kwang Hong Lee and Dalaver H. Anjum and Qiang Zhang and Xixiang Zhang and Chuan Seng Tan and Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.05468},
year = {2017}
}