SiGe器件中质量输运现象的试验与建模
材料科学
2018-09-27 v1
摘要
综述了近期关于SiGe材料体系中掺杂剂扩散与偏析、Si-Ge互扩散以及缺陷工程的实验与连续介质建模工作。还讨论了掺杂对Ge薄膜质量与互扩散的影响。这些与基于SiGe的半导体器件相关,包括SiGe异质结双极晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管以及基于Ge-on-Si的光子器件。
引用
@article{arxiv.1809.09985,
title = {Experiments and Modeling of Mass Transport Phenomena in SiGe Devices},
author = {Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.09985},
year = {2018}
}