电子 Mott 绝缘体附近的激子扩散系数显著增大

玻色-费米混合物自然存在于各种物理系统中。在半导体异质结构中，可以实现这一混合物，其中玻色子为激子，费米子为掺杂电荷。然而，这些混合系统的复杂性挑战了对决定物理属性（如迁移率）的机制的理解。本研究考察了垂直堆叠的 H-stacked WSe$_2$/WS$_2$ 异质层中跨层激子扩散。我们的测量在极低激子密度且低温下进行，以检验电荷如何影响激子迁移率。令人惊讶的是，在接近 Mott 绝缘体相的掺杂电荷条件下，我们观察到激子扩散系数相较于电荷中性时提高了三个数量级。我们将这一观察归因于可移动的价带空穴，这些空穴由于导带中的电子秩序而受到抑制的莫尔势，后以非单方ALLY的方式与任何导电子复合。这一新机制在靠近相关广义 Wigner 晶体和 Mott 绝缘态的足够大填因下出现。我们的结果表明，激子扩散可用于表征相关电子态，并为半导体异质结构中玻色子和费米子的复杂相互作用提供了洞见。