高磷掺杂浓度下的 Si-Ge 互扩散研究
材料科学
2016-11-23 v1
摘要
通过实验和建模研究了高磷掺杂浓度下的 Si-Ge 互扩散。研究了 Ge/Si1-xGex/Ge 多层结构，其中 0.75<x_Ge<1，P 掺杂浓度为 mid-10^18 至 low-10^19 cm-3，位错密度为 10^8 至 10^9 cm-2。磷掺杂样品表现出加速的 Si-Ge 互扩散速率，为未掺杂样品的 2-8 倍。Si-Ge 互扩散的掺杂依赖性通过费米增强因子建模。结果表明，在所研究条件下 Si-Ge 互扩散系数与 n^2/n_i^2 成正比，这表明在高锗分数范围内的 n 型掺杂互扩散由 V^(2-) 缺陷主导。费米增强因子被证明对温度和锗分数具有相对较弱的依赖性。这些结果与基于 n 型掺杂 Ge/Si 和 Ge/SiGe 的器件（如 Ge/Si 激光器）的结构和热处理条件设计相关。
引用
@article{arxiv.1608.01029,
title = {Study Of Si-Ge Interdiffusion With a High Phosphorus Doping Concentration},
author = {Feiyang Cai and Dalaver H. Anjum and Xixiang Zhang and Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01029},
year = {2016}
}