非晶Si\sub{1-x}Ge\sub{x}:H合金的第一性原理分子动力学研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们使用第一性原理局域基分子动力学模拟研究了非晶Si\sub{1-x}Ge\sub{x}:H合金的结构、动力学和电子性质。分析了非晶网络中的网络拓扑和缺陷。随着Ge原子百分比从x=0.1增加到x=0.5,发现了结构变化和缺陷数量的增加。电子态密度表现出带隙减小以及随着Ge浓度增加,带隙中部和带尾缺陷态增加。对态密度带尾的研究显示其呈指数(Urbach)行为。我们估算了迁移率隙随Ge浓度的变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607058,
title = {First principles molecular dynamics study of amorphous Si\sub{1-x}Ge\sub{x}:H alloys},
author = {T. A. Abtew and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607058},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 11 figures, submitted to PRB