非晶GaN的性质

在本文中，我们通过第一性原理模拟提出了三个非晶GaN模型。我们发现化学有序的连续随机网络是a-GaN的理想结构。如果排除尾态，我们预测64原子模型的光学带隙为3.0 eV，250原子模型的光学带隙为2.3 eV。我们观察到高度局域的价带尾和显著离域的指数型导带尾，我们将此归因于两个尾态中不同的杂化。基于这些结果，我们推测了n型和p型掺杂的潜在差异。讨论了尾态和缺陷态的结构起源。计算了振动态密度和介电函数，并与实验一致。