含位错纳米结构圆柱体的电子性质
材料科学
2014-12-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
借助态密度的计算，研究了无微扰和有小微扰的纳米圆柱体的电子结构。为此使用了连续规范场论模型。在该模型中，在弯曲表面上求解了 Dirac 方程。由其解计算了态密度。考虑了包含 2 个七边形缺陷的情形。本文是我们先前工作 [1] 的扩展，在 [1] 中比较了六边形石墨烯网络中的一个七边形缺陷和一个五边形缺陷。发现了微扰圆柱体结构的金属化。
引用
@article{arxiv.1112.5577,
title = {Electronic properties of disclinated nanostructured cylinder},
author = {R. Pincak and J. Smotlacha and M. Pudlak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5577},
year = {2014}
}
备注
14 pages