均匀磁场中含位错石墨烯的电子结构
介观与纳米尺度物理
2011-12-06 v1
摘要
本文研究了碳石墨烯平面中 1-七边形和 1-五边形缺陷附近的电子结构。使用连续规范场论模型，计算了两种情况下费米能附近的局域态密度。在该模型中，位错由 SO(2) 规范涡旋表示，相应的度规由石墨烯膜的弹性性质导出。为了扩大能量区间，使用了自洽微扰方案。研究了 Landau 态并将其与预测值进行了比较。
引用
@article{arxiv.1105.5058,
title = {Electronic Structure of Disclinated Graphene in an Uniform Magnetic Field},
author = {J. Smotlacha and R. Pincak and M. Pudlak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5058},
year = {2011}
}
备注
keywords: graphene, heptagonal defect, elasticity, carbon nanohorns, 13 pages