重新审视位错石墨烯片的电子性质
强关联电子
2023-06-07 v3 材料科学
广义相对论与量子宇宙学
高能物理 - 理论
摘要
拓扑缺陷（如位错或向错）与石墨烯中电子自由度之间的相互作用已被广泛研究。文献中，对此类问题的研究通常使用规范理论或弯曲空间黎曼几何方法，在几何情形下，缺陷信息包含在度规与自旋联络中。然而，这些拓扑缺陷也可关联到曲率与 torsion 起重要作用的 Riemann-Cartan 几何。本文研究平面石墨烯片中的楔形位错与其电子自由度性质之间的相互作用。我们的方法依赖于其通过所谓弹性规范与弹性理论的联系，其中典型系数（例如泊松比）直接出现在度规中，从而也出现在电子能谱中。
引用
@article{arxiv.2302.04804,
title = {Revisiting the electronic properties of dislocated graphene sheets},
author = {Nicolás Fernández and Pierre Pujol and Mario Solís and Teofilo Vargas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.04804},
year = {2023}
}
备注
6 pages, v2 minor modifications