单纳匹与双纳匹碳纳米锥的电子性质
介观与纳米尺度物理
2019-03-27 v1 材料科学
摘要
本文研究了具有一个和两个纳匹、晶格中含五角形与七角形缺陷的碳纳米锥的电子性质。我们使用基于类狄拉克哈密顿量的连续介质模型，其拓扑效应由局域非阿贝尔规范场通量描述。我们发展了一种几何方法，通过将径向坐标扩展到完整的实数集，可同时描述双锥表面的两个纳匹。我们表明，对于构成双锥表面的某些不同纳米锥组合，锥顶附近的局域态密度在费米能量处不为零，并呈现对角动量的强烈依赖。我们还获得了有限尺寸纳米锥的能谱，并证实其依赖于表面拓扑缺陷的选择，这表明双纳米锥可用于调控碳基电子器件中的电子输运。
引用
@article{arxiv.1806.01324,
title = {Electronic properties of single and double napped carbon nanocones},
author = {F. A. Gomes and V. B. Bezerra and J. R. F Lima and F. Moraes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01324},
year = {2019}
}