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Cd$_{1-x}$Fe$_x$Se电子能带结构的ab initio计算

材料科学 2025-06-24 v1 软凝聚态物质 化学物理

摘要

本工作旨在计算Cd1x_{1-x}Fex_xSe的电子能带结构。采用密度泛函理论(DFT)和局部交换关联泛函近似(LSDA)结合紧束缚模型,在Atomistix Toolkit程序中进行ab initio计算。我们对Fe离子的3d态采用 Hubbard U势 UFe=2.42U_{Fe} = 2.42 eV。构建了8原子和64原子的超胞。在构建Cd1x_{1-x}Fex_xSe (x=x= 6.25%; 25%)超胞后,进行了原子松弛和晶体结构优化。计算了电子能带结构和态密度,并分别定义了抗铁磁和铁磁相的总能。Cd1x_{1-x}Fex_xSe中,当 x=0.06x=0.06 时,铁磁相带隙为 Eg=1.77E_g=1.77 eV,抗铁磁相为 Eg=1.78E_g=1.78 eV;当 x=0.25x=0.25 时,Eg=1.92E_g=1.92 eV。抗铁磁相更稳定。我们的计算表明,随着Fe离子浓度的增加,带隙也随之增大。

关键词

引用

@article{arxiv.2506.17794,
  title  = {Ab initio calculation of electronic band structure of Cd$_{1-x}$Fe$_x$Se},
  author = {Matanat A. Mehrabova and Elshad Allahyarov and Niyazi H. Hasanov and Nurana R. Gasimova},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2506.17794},
  year   = {2025}
}

备注

6 pages and 5 figures