氢掺杂 In2O3：基于赝势自相互作用修正密度泛函理论与随机相近似的电子结构与光学性质
材料科学
2016-06-24 v1
摘要
我们讨论了类赝势自相互作用修正（pSIC）在研究 In2O3 缺陷能量学与电子结构中的适用性。我们的结果预测，替代式（位于氧位点）和间隙式（位于反键位置）氢，以及带 +1 和 +2 电荷的氧空位，是立方 In2O3 中缺陷的稳定构型；前者形成浅能级（仅作为替代式缺陷），而后者形成深能级。用 pSIC 计算的能带结构与实验数据高度吻合。特别地，无缺陷 In2O3 的带隙为 2.85 eV，与实验范围 2.3-2.9 eV 相当。pSIC 结果还指出，根据掺杂不同，带隙会从间接带隙变为直接带隙。关于在随机相近似内获得的 optical properties，表明它们主要受氧空位存在的影响。
引用
@article{arxiv.1511.07358,
title = {In2O3 doped with hydrogen: electronic structure and optical properties from the pseudopotential Self-Interaction Corrected Density Functional Theory and the Random Phase Approximation},
author = {Juan J. Meléndez and Małgorzata Wierzbowska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07358},
year = {2016}
}