CuGaS2 中电子缺陷的成分依赖性
材料科学
2025-12-01 v1
摘要
我们通过光致发光(PL)光谱研究了物理气相沉积生长的 CuGaS2 薄膜,采用了激发强度与温度依赖分析。我们观测到自由与束缚激子复合、三个施主-受主(DA)跃迁以及深能级跃迁。位于约 2.41 eV、2.398 eV 和约 2.29 eV 的 DA 跃迁归因于一个共同的施主能级(约 38±5 meV)以及位于价带上方约 76 meV、约 90 meV 和 210 meV 的三个浅受主。该电子结构与其它黄铜矿材料非常相似。施主-受主跃迁伴随有声子复制。富铜与近化学计量材料以 210 meV 受主导致的跃迁为主。所有薄膜均显示约 2.15 eV 和 1.85 eV 处由宽深缺陷带引起的深能级跃迁。轻微缺铜薄膜以约 2.45 eV 处的强跃迁为主,归因于激子跃迁以及 2.15 eV 处的宽缺陷跃迁。
引用
@article{arxiv.2311.00645,
title = {Composition dependence of electronic defects in CuGaS2},
author = {Damilola Adeleye and Mohit Sood and Michele Melchiorre and Alice Debot and Susanne Siebentritt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.00645},
year = {2025}
}