Ga2O3 中光驱动从绝缘体到导体的永久转变
材料科学
2020-03-24 v1
摘要
在某些材料中可实现从绝缘体到导体的转变，但这需要原子排布及其电子构型的双重改变。这通常通过掺杂实现。此处我们揭示晶格可能采取以诱导此类转变的一种机制。我们表明，在绝缘氧化物 Ga2O3 中，有限的亚带隙光照射引起了从绝缘态到导电态的永久转变，电导增加了 9 个数量级。光激发改变了氧空位的电荷态以及局域电子的重新分布，导致晶格中大规模结构畸变，这被证明是潜在机制。它改变了态密度并引入具有更浅能级的新稳定态，从而导致这一引人瞩目的行为。我们建议该机制可能发生于其他宽禁带金属氧化物中，从而剧烈改变其电子特性。
引用
@article{arxiv.2003.09954,
title = {Light-driven permanent transition from insulator to conductor in Ga2O3},
author = {F. A. Selim and D. Rana and S. Agarwal and M. Islam and A. Banerjee and B. P. Uberuaga and P. Saadatkia and P. Dulal and N. Adhikari and M. Butterling and M. O. Liedke and A. Wagner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.09954},
year = {2020}
}
备注
24 pages, 10 figures