H 掺杂 β-Ga2O3 中的红色发光
材料科学
2020-08-12 v2 光学
摘要
通过化学、电学和光学表征技术研究了氢掺入 β-Ga2O3 薄膜的影响。氢掺入通过远程等离子体掺杂实现，未引起薄膜任何结构改变；然而 X 射线光电子能谱揭示氧化学环境发生显著变化。深度分辨阴极荧光（CL）显示，H 掺杂 Ga2O3 薄膜的近表面区域在 1.9 eV 处呈现明显的红色发光（RL）带。H 相关 RL 带的出现伴随薄膜电导率提升一个数量级。温度分辨 CL 表明形成了大量 H 相关施主，其结合能为 28 ± 4 meV。RL 发射归因于浅施主-深受主对复合，其中受主为 VGa-H 复合体，浅施主为间隙 H。基于我们的实验考量，VGa-H 复合体的结合能与 Varley 等人 [J. Phys.: Condens. Matter, 23, 334212, 2011] 的计算结果一致。
引用
@article{arxiv.2005.13743,
title = {Red Luminescence in H-doped beta-Ga2O3},
author = {Thanh Tung Huynh and Ekaterine Chikoidze and Curtis P. Irvine and Muhammad Zakria and Yves Dumont and Ferechteh H. Teherani and Eric V. Sandana and Philippe Bove and David J. Rogers and Matthew R. Phillips and Cuong Ton-That},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13743},
year = {2020}
}
备注
3 figures