β-Ga2O3晶体中载流子复合的动力学
材料科学
2020-05-29 v1
摘要
通过测量阴极发光光谱以确定 β-Ga2O3 块体单晶中发光带与载流子动力学特征。发现 CL 发射以位于 3.40 eV 的宽紫外发射为主，其随温度升高呈现强烈猝灭；但光谱形状和能量位置几乎不变。我们观察到 CL 强度随激发密度超线性增加；这种载流子复合动力学可用 Fe 杂质中心的载流子俘获与电荷转移来解释。该紫外带的温度依赖特性与自陷激子中的弱束缚电子一致，其激活能为 48 ± 10 meV。除自陷激子发射外，蓝色发光（BL）带被证明与类施主缺陷相关，其在氢等离子体退火后浓度显著增加。导致 BL 的点缺陷（可能为氧空位）与晶格强耦合，表现出约 7.3 的 Huang-Rhys 因子。
引用
@article{arxiv.2005.13747,
title = {Kinetics of charge carrier recombination in beta-Ga2O3 crystals},
author = {T. T. Huynh and L. L. C. Lem and A. Kuramata and M. R. Phillips and C. Ton-That},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13747},
year = {2020}
}
备注
3 figures