陷阱填充对 MAPbBr$_3$ 单晶中载流子扩散的影响

我们提供的实验证据表明，MAPbBr$_3$ 单晶中的有效载流子扩散长度（$L_d$）和寿命（$\tau$）取决于载流子密度。独立测量表明，$L_d$ 和 $\tau$ 均随光生载流子密度的增加而减小。使用扫描光电流显微镜提取了特征光电流 $I_{ph}$ 衰减长度参数 $L_d$，该参数是有效载流子扩散的量度。测定电子和空穴的 $L_d$ 值分别约为 13.3 $\mu$m 和 13.8 $\mu$m。均匀光偏置（$\leq 5 \times 10^{15}$ photons/cm$^2$）的微小增加会增大调制光电流幅度，并使电子和空穴的 $L_d$ 参数分别减小两倍和三倍，表明复合不是单分子复合。$L_d$ 的变化与光致发光寿命研究中的特征相关联。寿命变化分析显示了依赖于强度的单分子和双分子复合趋势，测定的复合常数分别约为 9.3 $\times 10^6$ s$^{-1}$ 和 1.4 $\times 10^{-9}$ cm$^{3}$s$^{-1}$。根据 $L_d$ 和寿命的趋势，可以推断出在低强度激发区域中，带隙下陷阱复合影响载流子传输，而在高强度下双分子复合与传输占主导地位。