高温紫外光电探测器：一篇综述
应用物理
2018-09-21 v1
摘要
宽禁带半导体在过去十年中已成为光电子学中最具吸引力的材料。其宽禁带与本征特性推动了可靠光电探测器的发展，以在高温区域（高达 300°C）选择性探测短波长（即紫外，UV）。发展高温 UV 探测仪器的主要驱动力在于对工业、汽车、航空航天及能源生产系统中发射 UV 特征的有害环境与工艺的原位监测。本综述给出了 III-族氮化物、SiC 及其他宽禁带半导体 UV 光电探测器的光学性能（就光电流-暗电流比、响应度、量子效率与响应时间而言）以及非制冷高温表征的总结。
引用
@article{arxiv.1809.07396,
title = {High-temperature Ultraviolet Photodetectors: A Review},
author = {Ruth A. Miller and Hongyun So and Thomas A. Heuser and Debbie G. Senesky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07396},
year = {2018}
}