具有横向漂移场的皮秒紫外单光子探测器：概念与技术
仪器与探测器
2015-12-09 v1
摘要
III-V 族半导体材料作为先进逻辑器件中硅的替代品已被考虑了相当长一段时间。主要由 MOSFET 发展驱动的 III-V 族加工技术进步，如界面和表面钝化、具有高深宽比刻蚀的大面积深亚微米光刻，也可用于其他应用。本文将聚焦于具有平行于表面漂移场的光电探测器。我们将提出的概念与最先进的基于硅的技术进行比较，并讨论此类探测器在蓝光和紫外光谱区域以单光子计数模式运行所需满足的要求，这对于从高能物理到医学成像等众多应用至关重要的约 10 ps 光子时间分辨率。
引用
@article{arxiv.1409.4262,
title = {Picosecond UV Single Photon Detectors with Lateral Drift Field: Concept and Technologies},
author = {M. Yakimov and S. Oktyabrsky and P. Murat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4262},
year = {2015}
}