利用紫外光评估半导体界面热导的策略
应用物理
2023-11-21 v1 材料科学
摘要
在先前研究中,体相半导体样品的紫外光热反射(UV-TDTR)信号无法由基于热量在表面附近被吸收和探测的假设的热模型很好地解释。开发了一种热反射(TDTR)技术,利用 UV-TDTR 直接激发半导体。在 {\lambda} = 400nm 处,光子能量远大于大多数半导体带隙,可能使半导体换能器在表面约 10 nm 内吸收光,从而可能实现对半导体-半导体界面的直接测量。测量了若干直接带隙半导体材料的热反射系数。将热传输模型拟合到从该系统收集的热反射数据。还研究了具有不同掺杂和纳米结构特征的半导体信号的差异,这应会改变复合率。未观察到信号的显著变化。
引用
@article{arxiv.2311.11223,
title = {An evaluation strategy of the thermal conductance of semiconductor interfaces using ultraviolet light},
author = {Dian Li and Joseph Feser},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.11223},
year = {2023}
}
备注
20 Pages, 5 Figures