用于宽禁带半导体缺陷研究的高温深能级瞬态谱系统
材料科学
2019-08-27 v1
摘要
利用商业瞬态电容谱全面研究宽禁带材料中的深缺陷态和杂质是一项挑战，其需要非常高的温度。因此，我们开发了一套高温深能级瞬态谱(HT-DLTS)系统，可进行高达 1100 K 的测量。该温度范围的上限使得对带隙中比此前任何材料 DLTS 表征所报道的更深的深缺陷和陷阱中心的研究成为可能。通过在 300-950 K 温度范围内对 n 型 4H-SiC 中已知本征缺陷进行测量，测试了系统的性能。在 4H-SiC 肖特基二极管上的实验观测与文献吻合良好。然而，DLTS 测量受到电极操作和质量的限制。
引用
@article{arxiv.1904.02589,
title = {High-temperature deep-level transient spectroscopy system for defect studies in wide-bandgap semiconductors},
author = {S. Majdi and M. Gabrysch and N. Suntornwipat and F. Burmeister and R. Jonsson and K. K. Kovi and A. Hallen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.02589},
year = {2019}
}