缓解 CIGS 掺杂剖面中深能级影响的快速 C-V 方法
仪器与探测器
2017-07-17 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
在这项工作中，探索了在观察到陷阱诱导伪影（如迟滞和掺杂伪影）的半导体中确定更精确掺杂剖面的方法。具体而言，在 CIGS 中，表明本文提出的这种快速电容-电压（C-V）方法即使在室温下也能进行准确的掺杂剖面测量，而由于陷阱浓度与掺杂浓度之比很大，这通常是不可能的。利用深能级瞬态谱（DLTS）测量，确定了导致 200 K 以上异常 C-V 测量的深陷阱。重要的是，这种快速 C-V 可用于生产线上的快速评估，以监测真实掺杂浓度，甚至估算陷阱浓度。此外，还研究了高电导对不同温度下表观掺杂剖面的影响。
引用
@article{arxiv.1706.09946,
title = {Fast C-V method to mitigate effects of deep levels in CIGS doping profiles},
author = {P. K. Paul and J. Bailey and G. Zapalac and A. R. Arehart},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.09946},
year = {2017}
}