半导体纳米线场效应晶体管的电流模式深能级瞬态谱
材料科学
2016-01-25 v3
摘要
半导体纳米线中载流子迁移率的主要限制因素之一是深陷阱能级的存在。虽然深能级瞬态谱（DLTS）已被证明是分析体材料中陷阱的有力工具，但由于纳米线的电容非常小，该技术对纳米线的表征无效。这里我们介绍一种测量纳米线中深陷阱谱的新技术。在电流模式 DLTS（I-DLTS）中，测量纳米线场效应晶体管在施加栅极电压脉冲后瞬态电流的温度依赖性。我们证明了 I-DLTS 可用于确定氧化锌纳米线中多个深缺陷态的激活能和俘获截面。除了表征深缺陷态，我们还表明 I-DLTS 可用于测量半导体纳米线的表面势垒高度。
引用
@article{arxiv.1405.7515,
title = {Current-Mode Deep Level Transient Spectroscopy of a Semiconductor Nanowire Field-Effect Transistor},
author = {Ivan Isakov and Marion J L Sourribes and Paul A Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.7515},
year = {2016}
}
备注
20 pages, 9 figures