面向高非线性和滞回电子器件的缺陷能级切换
应用物理
2021-01-13 v1 材料科学
摘要
从电路保护到下一代计算，都需要非线性和滞回的电学器件。被广泛研究的阻变器件基于质量输运（如离子在电场中的漂移）和集体现象（如绝缘体-金属相变）。我们探究在许多半导体中已知的大光导响应是否能在黑暗中被激发，并用于设计电学器件。我们设计并测试了基于光导 CdS 的器件，我们的结果与如下假设一致：阻变源于在点缺陷之间于深施主和浅施主构型间切换，即缺陷能级切换（DLS）。这一新的电子器件设计原理——无光子的光导性——利用了数十年来关于光导性和缺陷谱学的研究。它易于推广，并将有助于未来电子学中新型非线性、滞回器件的设计。
引用
@article{arxiv.2005.07935,
title = {Defect Level Switching for Highly-Nonlinear and Hysteretic Electronic Devices},
author = {Han Yin and Abinash Kumar and James M. LeBeau and R. Jaramillo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07935},
year = {2021}
}
备注
Text and supplemental merged into one file