氧化铜薄膜中的光致电阻开关效应
材料科学
2020-11-03 v1
摘要
基于氧化铜薄膜的金属-绝缘体-金属结构接受了白光照射。顶电极为 Al、Cr 和 Ni，底电极为 Au 或 Pt。白光脉冲控制置位过程，这种光致置位（LIS）可在极低电压（数十毫伏）下实现，而常规置位过程无法做到这一点。LIS 在脉冲的上升沿触发，光的下降沿无影响。在大多数情况下，高阻态（HRS）到低阻态（LRS）的转变是不可逆的，即即使在光脉冲关闭后器件仍保持在 LRS。仅在一种器件结构 Al/CuxO/Au 中实现了光致复位（LIR）。通过采用 LIS 和 LIR，器件的置位和复位功耗可大幅降低，且置位和复位参数的离散性也减小。因此，当前工作指出了形成无顺应性电阻式随机存取存储器器件的可能性。
引用
@article{arxiv.2011.00423,
title = {Light induced resistive switching in copper oxide thin films},
author = {L. D. Varma Sangani and M. Ghanashyam Krishna},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.00423},
year = {2020}
}