基于带p-n结的高压硅结构的纳秒与皮秒光电子功率开关。II. 能量效率
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1
摘要
基于高压硅光电二极管、光电晶体管或光晶闸管并由皮秒激光脉冲触发开启的光电子开关的能量效率首次被研究。对于给定的电阻负载值、电压脉冲的幅度和持续时间，表明存在器件面积、触发照明的能量和吸收系数的最优值集合，其提供开关的最大总效率约0.92。所有三种类型开关在短下具有几乎相同的效率，而在长情况下光晶闸管具有明显优势。
引用
@article{arxiv.1701.03412,
title = {Power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with p-n-junctions. II. Energy efficiency},
author = {A. S. Kyuregyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03412},
year = {2017}
}
备注
4 pages, in Russian, 9 figures