脉冲光照下高压反偏 p+-n-n+ 结构向导通态的皮秒级开关
其他凝聚态物理
2017-10-26 v1
摘要
本文建立了高压反偏 p+-n-n+ 结构在脉冲光照下皮秒级切换至导通态的解析理论，并对该过程进行了数值模拟。结合理论与模拟结果，我们获得了结构参数、光脉冲参数、外电路参数与过程主要特征（即负载电流脉冲幅值和开关过程持续时间）之间的简单关系。
引用
@article{arxiv.1403.8071,
title = {Picosecond switching of high voltage reverse-biased p+-n-n+-structures into conductive state by pulsed lighting},
author = {A. S. Kyuregyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.8071},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 8 figures, in Russian