高压可逆开关晶闸管亚微秒 regimes 的模拟
其他凝聚态物理
2015-09-30 v1
摘要
基于对高压可逆开关晶闸管 (RSD) 中物理过程的二维计算机模拟，研究了其亚微秒脉冲性能机制的重要特性。其特征是在开关前沿的早期阶段，观察到相当大的电压尖峰和危险的电流上升延迟。研究发现，通过适当降低 p 基区的掺杂浓度可以消除这些不良表现。遵循此方法，对于阻断电压为 2.5-5 kV 且可逆泵浦电荷值为 5-10 uC/cm^2 的 RSD，可将开关前沿持续时间缩短至 75-100 ns 或更低。至于电流上升率，可提高到 (20-30) A/cm^2/ns，即比标准 RSD 的同类参数高出一个数量级以上。对于几千安培的开关脉冲幅值和几百纳秒的总脉冲持续时间，传输到负载的能量在每个周期可达零点几焦耳至几焦耳，而 RSD 中的功率损耗约为这些值的 10%。
引用
@article{arxiv.1412.6816,
title = {Simulation of Submicrosecond Regimes of High-Voltage Reversibly-Switched Dynistors},
author = {A. V. Gorbatyuk and B. V. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.6816},
year = {2015}
}
备注
9 pages, in Russian, 6 figures