基于带 p-n 结高压硅结构的纳秒与皮秒功率光电子开关。I. 开关过程物理
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1
摘要
首次对由皮秒激光脉冲在面积上均匀触发导通的高压硅光电二极管、光电晶体管和光电晶闸管的开关过程进行了数值模拟。通过对结果的分析，获得了开关关键参数（控制脉冲能量、辐射吸收系数、结构面积）与表征带阻性负载电路中开关过程的参数之间的“经验”关系。针对其中一些关系，推导出了与模拟结果相当吻合的近似解析公式。注意到，这三种不同类型结构的开关过程之间的区别仅在电压脉冲持续时间较长的最后阶段才显现出来，此时光电二极管和光电晶体管的阻断能力得以恢复。
引用
@article{arxiv.1612.05965,
title = {Power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with p-n-junctions. I. Physics of switching process},
author = {A. S. Kyuregyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.05965},
year = {2017}
}
备注
7 pages, in Russian, 9 figures