用于自旋相关输运的离子注入硅场效应晶体管开发的深能级瞬态谱研究
材料科学
2010-03-01 v1
摘要
本文介绍了为开发用于自旋相关输运实验的离子注入硅场效应晶体管，对低注量、低能量离子注入产生的缺陷进行的深能级瞬态谱 (DLTS) 研究。考虑了标准退火策略，以激活注入的掺杂剂并修复测试金属-氧化物-半导体 (MOS) 电容器中的注入损伤。研究了固定氧化物电荷、界面陷阱电荷以及少数载流子在 DLTS 中的作用。发现 950°C 的炉管退火可以激活掺杂剂，但在修复注入损伤方面不如 1000°C 的快速热退火有效。在任一种退火后均未观察到体陷阱的证据。结果表明，采用本研究中确定的工艺策略，离子注入自旋相关输运器件具有预期的特性。
引用
@article{arxiv.1002.4934,
title = {Deep level transient spectroscopy study for the development of ion-implanted silicon field-effect transistors for spin-dependent transport},
author = {B. C. Johnson and J. C. McCallum and L. H. Willems van Beveren and E. Gauja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.4934},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 6 figures