具有改进电流灵敏度的负电容离子敏感场效应晶体管
仪器与探测器
2019-06-27 v1 应用物理
摘要
离子敏感场效应晶体管（ISFETs）因其无标记检测和固有的CMOS兼容性而成为广泛应用的传感技术。然而，对于给定的{\Delta}pH，其电流灵敏度{\Delta}ID/ID受金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）亚阈值斜率（SS）的热离子极限和能斯特极限的限制。获得具有陡斜率转移特性的ISFET极具挑战性。本文中，我们将传统ISFET的优势与在栅极接触串联插入负电容器所带来的性能提升相结合。在采用NC PZT电容的拟议测试中，我们实验证明了SS降低了44%，同时电流效率提升超过两倍。由于更陡的SS，对pH的电流灵敏度提高了78%。
引用
@article{arxiv.1906.11040,
title = {Negative Capacitance Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with improved current sensitivity},
author = {Francesco Bellando and Ali Saeidi and Adrian M. Ionescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11040},
year = {2019}
}