基于全金属 Al/Cu/Al 邻近纳米结的约瑟夫森场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2019-08-30 v2 超导电性
摘要
我们展示了首个全金属介观超导体-正常金属-超导体（SNS）场效应控制的约瑟夫森晶体管（SNS-FETs），并给出了其在临界温度 直至 50 mK 下、同时存在电场和磁场时的完整表征。通过侧向栅电极施加的静态电场能够抑制邻近诱导超导体中的临界电流 ，这一能力在正负栅电压值下均得到证实。 抑制通常达到其初始值约三分之一，并在高栅电压下饱和。我们的 SNS-FETs 的跨导在 100 mK 下获得高达 100 nA/V 的值。在基础物理方面，我们的结果表明所观测现象背后的机制相当普遍，并不依赖于真实配对势的存在，而是仅需存在超导关联即可发生该效应。在技术方面，我们的发现将可用于实现全金属场效应晶体管的材料家族扩展至合成邻近诱导超导体。
引用
@article{arxiv.1903.03435,
title = {Josephson Field-Effect Transistors Based on All-Metallic Al/Cu/Al Proximity Nanojunctions},
author = {Giorgio De Simoni and Federico Paolucci and Claudio Puglia and Francesco Giazotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03435},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 5 color figures