负电容场效应晶体管近期进展的批判性综述
应用物理
2019-03-12 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
该器件概念的简洁优雅，以及在摩尔定律黄昏之际对新“晶体管”的迫切需求，已激励产业与学术界诸多研究者探索负电容场效应晶体管（NC-FET）的物理与技术。尽管已发表数百篇论文，准静态 NC 的有效性及 NC-FET 的频率-可靠性极限仍在争论中。NC 概念——若被确证——将对器件物理与技术发展产生广泛影响。在此，作者们对 NC-FET 研究的近期进展及若干连贯讨论的起点给出批判性综述。
引用
@article{arxiv.1903.03884,
title = {A Critical Review of Recent Progress on Negative Capacitance Field-Effect Transistors},
author = {Muhammad A. Alam and Mengwei Si and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03884},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 2 figures