掺杂对MgB$_2$单晶中不可逆Campbell长度的影响
超导电性
2009-02-02 v1
摘要
我们测量了纯、C掺杂、Li掺杂以及(Li+C)共掺杂MgB单晶中的小振幅射频穿透深度。掺杂对临界温度T和上临界场H的影响与先前结果吻合良好。我们报告了中存在与峰效应相关的不可逆性的清晰特征。碳掺杂增强了该特征，并将其在H-T相图中的位置移至更高温度。相反，Li替代具有将峰效应抑制至更低温度的效果。对零场冷却(ZFC)和场冷却(FC)测量的分析表明，与峰效应相关的磁滞是由于磁场斜坡过程中产生的宏观屏蔽超电流所致。
引用
@article{arxiv.0807.3098,
title = {Effect of doping on irreversible Campbell length in MgB$_2$ single crystals},
author = {C. Martin and M. D. Vannette and R. T. Gordon and R. Prozorov and J. Karpinski and N. D. Zhigadlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3098},
year = {2009}
}