(Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ 场效应器件的电容-电压测量
介观与纳米尺度物理
2019-07-30 v1
摘要
本文研究了利用交流电容电桥在 n 型 (BiSb)Te/氧化物/金属电容结构中获得的电容-电压()曲线。通过将顶栅电压从正值调至负值，界面处的系统从积累态经耗尽态进入反型态。我们的结果显示了典型低频与高频 曲线，其依赖于测量频率、温度与光照强度，并反映出对复合/产生速率的敏感依赖。在反型区还观察到叠加的强滞回现象，这归因于常规局域表面态的存在，其与拓扑表面态共存。
引用
@article{arxiv.1907.12147,
title = {Capacitance-voltage measurements of (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ field effect device},
author = {Jimin Wang and Markus Schitko and Gregor Mussler and Detlev Grützmacher and Dieter Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.12147},
year = {2019}
}
备注
18 pages, 5 figures