金属-hBN-Bi2Se3 电容器中拓扑表面与界面态的射频压缩率

Andreas Inhofer; Taylor Wilde; Jack Duffy; Mohamed Boukhicha; José Palomo; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Jean-Marc Berroir; Gwendal Fève; Erwann Bocquillon; Bernard Plaçais; Badih A. Assaf

doi:10.1088/2515-7639/ab383c

金属-hBN-Bi2Se3 电容器中拓扑表面与界面态的射频压缩率

介观与纳米尺度物理 2019-08-15 v1 材料科学

作者: Andreas Inhofer , Taylor Wilde , Jack Duffy , Mohamed Boukhicha , José Palomo , Kenji Watanabe , Takashi Taniguchi , Jean-Marc Berroir , Gwendal Fève , Erwann Bocquillon , Bernard Plaçais , Badih A. Assaf

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摘要

在金属-hBN-Bi2Se3 电容器中研究了拓扑绝缘体（TI）表面及 TI-衬底界面处出现的拓扑态。通过测量电容器相对于栅压的射频导纳，我们提取了位于栅控 TI 表面的 Dirac 态的压缩率。我们表明，即使在存在承载平庸电子积累层的非栅控表面的情况下，另一栅控表面总是在量子电容中表现出双极性效应。我们成功确定了两个器件中表面 Dirac 费米子的速度，其中一个具有钝化表面，另一个具有承载平庸态的自由表面。我们的结果展示了射频量子电容技术在存在寄生态密度情况下探测系统表面态的潜力。

关键词

拓扑绝缘体射频压缩率量子电容 Dirac 费米子 Bi2Se3 表面态 hBN 电容器

引用

@article{arxiv.1908.05270,
  title  = {RF compressibility of topological surface and interface states in metal-hBN-Bi2Se3 capacitors},
  author = {Andreas Inhofer and Taylor Wilde and Jack Duffy and Mohamed Boukhicha and José Palomo and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jean-Marc Berroir and Gwendal Fève and Erwann Bocquillon and Bernard Plaçais and Badih A. Assaf},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1908.05270},
  year   = {2019}
}

备注

J. Phys.: Mater. Focus on Topological Matter

金属-hBN-Bi2Se3 电容器中拓扑表面与界面态的射频压缩率

摘要

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