用于高分辨率、宽温区量子电容测量的集成电容桥
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 材料科学
仪器与探测器
摘要
我们开发了一种用于量子电容测量的高灵敏度集成电容桥。我们的电容桥基于 GaAs HEMT 放大器，在宽温度范围（4K-300K）内，使用等于或低于 kT 的小交流激励，实现了阿托法拉（aF）级的分辨率。在室温下，对于 17.5 kHz 的 10 mV 交流激励，我们实现了 10 aF/√Hz 的分辨率，而在相同激励幅度下，低温下的分辨率更高。我们通过测量顶栅石墨烯器件的量子电容，并与使用最高分辨率的商用电容测量桥获得的结果进行比较，展示了我们电容桥的性能。在相同的测试条件下，我们的电容桥的分辨率比商用仪器高出数个数量级。
引用
@article{arxiv.1009.5407,
title = {An integrated capacitance bridge for high-resolution, wide temperature range quantum capacitance measurements},
author = {Joseph A. Sulpizio and Arash Hazeghi and Georgi Diankov and David Goldhaber-Gordon and H. -S. Philip Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.5407},
year = {2015}
}
备注
(1)AH and JAS contributed equally to this work. 6 pages, 5 figures