用于半导体材料和器件表征的电容-电压剖面分析技术
材料科学
2010-11-16 v1
摘要
本文基于同一作者于2006年发现的一个新物理公式，重新定义了众所周知的C/V（电容-电压）测量技术。
引用
@article{arxiv.1011.3463,
title = {Capacitance-voltage profiling techniques for characterization of semiconductor materials and devices},
author = {Miron J Cristea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3463},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 7 figures