对“半导体中光致热电势的光学成像”[Phys. Rev. Applied 5, 024005 (2016)]的评论
材料科学
2018-03-20 v1
摘要
在最近一篇文章 [Phys. Rev. Applied 5, 024005 (2016)] 中，Gibelli 及其合作者提出了一种利用光致发光测量确定热电势（即 Seebeck 系数）的方法。该光致发光谱被用于获取电子与空穴间电化学势差以及电子-空穴等离子体温度的局域梯度。然而，该文所给热电势的定义似乎有误，源于推导此参数所需不同物理量之间的混淆。
关键词
引用
@article{arxiv.1801.02189,
title = {Comment on "Optical Imaging of Light-Induced Thermopower in Semiconductor" [Phys. Rev. Applied 5, 024005 (2016)]},
author = {Y. Apertet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02189},
year = {2018}
}