基于热电势的 1.6 K 氦表面态热电子测温法
介观与纳米尺度物理
2018-12-12 v1 强关联电子
摘要
我们开发了一种利用 Seebeck 效应探测超流氦-4 表面上方表面态电子（SSE）温度的方法。与先前使用的 SSE 测温法相比，该技术不需要对非线性迁移率有详尽的了解。我们通过在具有 深氦的微通道器件中测量 1.6 K 下 SSE 的能量弛豫，展示了该方法的使用。在此 regime 下，蒸气原子散射和双涟漪子散射均对能量弛豫有贡献，我们将测量结果与二者进行了比较。我们得出结论：该技术提供了对电子温度的可靠测量，同时相较于先前采用的测温技术，需要对电子与环境相互作用的了解更少。
引用
@article{arxiv.1807.09166,
title = {Thermopower-based hot electron thermometry of helium surface states at 1.6 K},
author = {Ethan I. Kleinbaum and Stephen A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.09166},
year = {2018}
}