并五苯晶体管的热电势测量
材料科学
2015-06-25 v2
摘要
我们首次报道了并五苯场效应晶体管的温差电测量结果。我们报告了室温下Seebeck系数的高值，介于240至500微伏/开之间，具体取决于介电表面处理。这些值与沟道厚度和施加的栅极电压无关。Seebeck系数有两个明确的贡献：一个预期的贡献，依赖于输运能级的位置并反映载流子产生的激活特性；以及一个意外的内在贡献，为265加减40微伏/开，与温度和氧化物表面处理无关。该值对应于每个载流子3 kB的异常大的晶格振动熵。我们证明，这种内在的振动熵源于电荷载流子存在引起的晶格硬化。我们的结果为电子极化效应对有机分子半导体中电荷输运的重要性提供了直接证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607375,
title = {Thermopower measurements on pentacene transistors},
author = {Adrian von Muehlenen and Nicolas Errien and Michel Schaer and Marie-Noelle Bussac and Libero Zuppiroli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607375},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 8 figures, LaTeX