全环绕梯度纳米线晶体管的自洽电容 - 电压表征
材料科学
2014-06-23 v1
摘要
本文提出了一种自洽数值模型，用于计算电荷分布和栅极电容，从而获得具有高迁移率轴向梯度 In0.75Ga0.25As + In0.53Ga0.47As 沟道（结合应变及原子层沉积 Al2O3/20nm Ti 栅极）的全环绕梯度纳米线 MOSFET 的 C-V 表征。探讨了引入和变化 In 组分梯度以及掺杂浓度梯度时的 C-V 特性。采用有限元方法自洽求解泊松方程和薛定谔方程，考虑波函数穿透及其他量子效应，以计算不同栅极偏压下的栅极电容和电荷分布。器件参数取自最近报道的实验器件。
引用
@article{arxiv.1406.5257,
title = {Self-consistent Capacitance-Voltage Characterization of Gate-all-around Graded Nanowire Transistor},
author = {Saeed Uz Zaman Khan and Md. Shafayat Hossain and Md. Obaidul Hossen and Fahim Ur Rahman and Rifat Zaman and Quazi D. M. Khosru},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5257},
year = {2014}
}
备注
Accepted for presentation in 13th IEEE International Electro/Information Technology Conference (EIT), Rapid City, SD, USA, 9-11 May 2013