InSb、GaSb、Si 和 Ge p沟道纳米线的静电性能
介观与纳米尺度物理
2017-12-06 v1 应用物理
摘要
分析了由 InSb 和 GaSb 制成的 p 型纳米线(NWs)的静电性能，特别关注其栅电容行为，并与通常用于 p-MOS 的传统半导体（如 Si 和 Ge）所取得的性能进行比较。为此，实现了自洽的 kp 模拟器，以准确描述价带并评估作为所施加栅偏压函数的电荷行为。评估了组成电容（即绝缘体、质心和量子电容）的贡献与作用。结果表明，质心和量子电容强烈依赖于半导体材料。我们发现 GaSb 和 InSb 纳米线具有良好的本征静电性能，可与 Ge 和 Si 对应物相媲美，使得这些 III-Sb 化合物成为未来技术节点的良好候选。
引用
@article{arxiv.1704.07673,
title = {Electrostatic Performance of InSb, GaSb, Si and Ge p-channel Nanowires},
author = {Celso Martinez-Blanque and Enrique G. Marin and Alejandro Toral and Jose M. Gonzalez-Medina and Francisco G. Ruiz and Andres Godoy and Francisco Gamiz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.07673},
year = {2017}
}