GaAs/InSb核/壳纳米线中的相位相干输运与自旋轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2020-04-03 v2
摘要
我们对GaAs/InSb核壳纳米线进行了低温磁输运测量。该纳米线通过分子束外延自催化生长。电导随背栅电压变化的测量显示出双极性行为，包含在从p型到n型区域转变之间的绝缘区间。基于自洽Schrödinger–Poisson求解器的模拟揭示，双极性特征源于InSb壳层中近似圆形量子阱内空穴与电子态随费米能级变化的占据。通过施加垂直于纳米线轴的磁场，观察到电导涨落，并用以提取相位相干长度。通过对不同背栅电压下的磁电导迹线取平均，分辨出弱反局域化特征。当施加轴向磁场时，测量到规则的磁通周期电导振荡。这些振荡归因于位于InSb壳层中的闭环量子化态，其能量位置随磁通周期性移动。利用模拟结果讨论了实验观察到的振荡图样变化的可能原因。
引用
@article{arxiv.1911.05510,
title = {Phase coherent transport and spin-orbit interaction in GaAs/InSb core/shell nanowires},
author = {P. Zellekens and N. Demarina and J. Janßen and T. Rieger and M. I. Lepsa and P. Perla and G. Panaitov and H. Lüth and D. Grützmacher and T. Schäpers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.05510},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 9 figures, 1 table, title changed, additional datasets and plots